Σε μια εποχή όπου η κατασκευή ακριβείας φτάνει σε πρωτοφανή επίπεδα, η ανίχνευση εσωτερικών ελαττωμάτων σε ηλεκτρονικές συσκευές και συσκευές ημιαγωγών έχει γίνει κρίσιμο στοιχείο του ποιοτικού ελέγχου. Οι παραδοσιακές μέθοδοι επιθεώρησης συχνά αποτυγχάνουν στην αναγνώριση μικροσκοπικών ατελειών, οδηγώντας σε μειωμένες αποδόσεις προϊόντων και αυξημένο κόστος παραγωγής. Το Σύστημα Επιθεώρησης Ηλεκτρονικών και Ημιαγωγών XT V 130C αναδεικνύεται ως μια πρωτοποριακή λύση σε αυτές τις προκλήσεις.
Το σύστημα XT V 130C συνδυάζει εξαιρετική ευελιξία με υψηλή οικονομική αποδοτικότητα, θέτοντας νέα πρότυπα για την επιθεώρηση ακτίνων Χ ηλεκτρονικών εξαρτημάτων και εξαρτημάτων ημιαγωγών. Στην καρδιά του βρίσκεται μια πηγή ακτίνων Χ 130 kV/10W που αναπτύχθηκε από τη Nikon Metrology, γνωστή για την ανοιχτή αρχιτεκτονική της και τον ενσωματωμένο γεννήτρια υψηλής τάσης. Το σύστημα διαθέτει μια προηγμένη αλυσίδα απεικόνισης υψηλής ανάλυσης με επεκτάσιμες διαδρομές αναβάθμισης, επιτρέποντας στους χρήστες να προσαρμόζουν τις διαμορφώσεις σύμφωνα με τις συγκεκριμένες ανάγκες.
Οι πιθανές αναβαθμίσεις περιλαμβάνουν πηγές ακτίνων Χ υψηλότερης ισχύος, περιστροφικές βάσεις δείγματος για παρατήρηση πολλαπλών γωνιών, αυτοματοποιημένο λογισμικό επιθεώρησης για βελτιωμένη απόδοση, ψηφιακούς ανιχνευτές επίπεδης οθόνης υψηλής ευκρίνειας και μελλοντική συμβατότητα με την τεχνολογία υπολογιστικής τομογραφίας (CT). Αυτή η προσαρμοστικότητα διασφαλίζει ότι το σύστημα παραμένει στην πρώτη γραμμή των δυνατοτήτων επιθεώρησης.
Η απόδοση του συστήματος προέρχεται από την πατενταρισμένη πηγή ακτίνων Χ Nikon Xi Nanotech. Η αρχιτεκτονική ανοιχτού σχεδιασμού εξαλείφει τις ανησυχίες σχετικά με την πεπερασμένη διάρκεια ζωής των παραδοσιακών σφραγισμένων πηγών σωλήνων, καταργώντας την ανάγκη για δαπανηρές αντικαταστάσεις. Ο ενσωματωμένος γεννήτρια υψηλής τάσης απλοποιεί τη συντήρηση εξαλείφοντας τα καλώδια υψηλής τάσης, ενώ παρέχει σχεδόν απεριόριστη ισχύ εξόδου, μειώνοντας σημαντικά το μακροπρόθεσμο κόστος ιδιοκτησίας.
Τα εξαρτήματα νήματος που μπορούν να αντικατασταθούν από τον χρήστη κουμπώνουν εύκολα στη θέση τους, με διαισθητικό λογισμικό που αυτοματοποιεί τη βαθμονόμηση ευθυγράμμισης του νήματος. Αυτό διασφαλίζει σταθερή ποιότητα εικόνας χρόνο με το χρόνο με ελάχιστες απαιτήσεις συντήρησης. Η σειρά XT V επιτυγχάνει αξιοσημείωτες προδιαγραφές:
Η τεχνολογία True Concentric Imaging του συστήματος διατηρεί την περιοχή ενδιαφέροντος στο κέντρο της όψης ανεξάρτητα από την περιστροφή, την κλίση ή το επίπεδο μεγέθυνσης του δείγματος. Αυτό διασφαλίζει συνεχή, ακριβή παρατήρηση καθ' όλη τη διάρκεια της διαδικασίας επιθεώρησης. Το σύστημα φιλοξενεί ακραίες γωνίες κλίσης έως 90° και πλήρη περιστροφή δείγματος 360°, απλοποιώντας την εξέταση σύνθετων πολυεπίπεδων δομών.
Μια έξυπνη προγραμματιζόμενη βάση πέντε αξόνων με δίσκο από ανθρακονήματα επιτρέπει τη χειραγώγηση του δείγματος χωρίς συγκρούσεις ακόμη και στη μέγιστη μεγέθυνση. Ο έλεγχος σε πραγματικό χρόνο τόσο της πηγής ακτίνων Χ όσο και της κίνησης του ανιχνευτή μέσω διαισθητικών joysticks παρέχει απρόσκοπτη ζωντανή απεικόνιση.
Η σειρά XT V συνοδεύεται από το λογισμικό Inspect-X της Nikon που διαθέτει τη μηχανή απεικόνισης C.Clear. Αυτό το έξυπνο σύστημα προσαρμόζει αυτόματα τις παραμέτρους εικόνας όπως η αντίθεση και η φωτεινότητα σε απόκριση των μεταβαλλόμενων συνθηκών ακτίνων Χ και των θέσεων του δείγματος, παρέχοντας σταθερά ευκρινείς, καθαρές εικόνες.
Το λογισμικό περιλαμβάνει γραμμές εργαλείων γρήγορης πρόσβασης, εργαλεία ανάλυσης ελαττωμάτων επόμενης γενιάς και εξειδικευμένες μονάδες για τη μέτρηση δειγμάτων και την ανάλυση εξαρτημάτων PCB. Οι αυτοματοποιημένες λειτουργίες επιθεώρησης μεγιστοποιούν την αποδοτικότητα παραγωγής, ενώ οι τυποποιημένες μορφές αναφοράς παράγουν συμβατή έξοδο για οποιοδήποτε σύστημα PC.
Τα προηγμένα χαρακτηριστικά περιλαμβάνουν τρισδιάστατη επιθεώρηση μέσω CT και τομογραφικής απεικόνισης X.Tract, επιτρέποντας ψηφιακή τομή σε οποιονδήποτε προσανατολισμό για ολοκληρωμένη γεωμετρική ανάλυση εξαρτημάτων.
Ανίχνευση σπασμένων δεσμών σφήνας, παραμορφωμένων δεσμών σφαιρών, σάρωσης καλωδίων, αστοχιών σύνδεσης die, ψυχρών συγκολλήσεων, γεφυρώσεων/βραχυκυκλωμάτων, κενών και ελαττωμάτων BGA.
Εξέταση τόσο τοποθετημένων όσο και μη τοποθετημένων πλακετών για ελαττώματα επιφανειακής τοποθέτησης, συμπεριλαμβανομένης της κακής ευθυγράμμισης εξαρτημάτων, της πορώδους συγκόλλησης και της γεφύρωσης. Λεπτομερής επιθεώρηση των vias, των επιχρωμιωμένων οπών και της ευθυγράμμισης πολυεπίπεδων πλακετών. Δυνατότητα ανάλυσης πακέτων κλίμακας τσιπ επιπέδου wafer (WLCSP), BGA, CSP και συγκόλλησης χωρίς μόλυβδο.
Επιθεώρηση υψηλής ακρίβειας μικροσκοπικών, ολοκληρωμένων μικροηλεκτρομηχανικών και μικρο-οπτοηλεκτρομηχανικών συστημάτων.
Εξέταση εσωτερικής δομής και ανίχνευση ελαττωμάτων σε διάφορα καλώδια, πλεξούδες και πλαστικά μέρη.